TDM3436锂电保护MOS管

DESCRIPTION
The TDM3436A uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.
This device is suitable for use as a load switch or in
PWM applications.
GENERAL FEATURES
 RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 3.1mΩ @ VGS=10V
 High Power and current handling capability
 Lead free product is available
 Surface Mount Package
Application
 PWM applications
 Load switch
 Power management
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain‐Source Voltage VDS 40 V
Gate‐Source Voltage VGS +20 V
Drain Current @ Continuous
ID（TA=25℃） 25 A
ID（TA=70℃） 20 A
Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1) IDM（TC=25℃） 300 A
Drain Current @ Continuous
ID（TC=25℃） 100 A
ID（TC=100℃） 78 A
Maximum Power Dissipation (TA=25℃) PD 2.7 W
Maximum Operating Junction Temperature TJ 150 ℃
Storage Temperature Range TSTG ‐55 To 150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance,Junction‐to‐Ambient (Note 1) RθJA 50 ℃/W


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